| 1. | BCxNy thin films were synthesized by chemical vapor deposition in 1972.
Des couches minces de BCxNy ont été synthétisées par dépôt chimique en phase vapeur en 1972. |
| 2. | Silicon nitride deposited by LPCVD contains up to 8% hydrogen.
Le nitrure de silicium obtenu par dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD) contient jusqu'à 8 % d'hydrogène. |
| 3. | Cubic SiC is usually grown by the more expensive process of chemical vapor deposition (CVD).
Le carbure de silicium cubique (β-SiC) est généralement obtenu par des procédés plus chers de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). |
| 4. | They can be prepared by chemical decomposition of trichloroborazine with caesium, or by thermal chemical vapor deposition methods.
Elles peuvent être obtenues par décomposition chimique de trichloroborazine avec du césium, ou par des méthodes de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). |
| 5. | It has also been considered for plasma-assisted chemical vapor deposition for the manufacture of boron-containing thin films.
Il a également été étudié pour application en dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma afin de produire des couches minces contenant du bore. |
| 6. | Chemical vapour deposition allows control of the thickness of the film on a nanometre scale, which is essential for some applications.
Le dépôt chimique en phase vapeur permet de contrôler l'épaisseur des couches déposées à l'échelle du nanomètre, ce qui est indispensable pour certaines applications. |
| 7. | Above 420 °C, silane decomposes into silicon and hydrogen; it can therefore be used in the chemical vapor deposition of silicon.
Au-delà de 420 °C, le silane se décompose spontanément en silicium et en dihydrogène; il peut ainsi être utilisé dans le dépôt chimique en phase vapeur du silicium. |
| 8. | For these technologies it is deposited using low-pressure chemical-vapour deposition (LPCVD) reactors at high temperatures and is usually heavily doped n-type or p-type.
Pour ces technologies, le polysilicium est déposé par dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD) à haute température et est habituellement fortement dopé (P ou N). |
| 9. | Alternatively, high-purity HfC coatings can be obtained by chemical vapor deposition from a gas mixture of methane, hydrogen, and vaporized hafnium(IV) chloride.
Il est également possible de déposer des couches minces de carbure d'hafnium de haute pureté par dépôt chimique en phase vapeur à partir d'un mélange de méthane, d'hydrogène et de chlorure d'hafnium(IV) (en). |
| 10. | FIB-assisted chemical vapor deposition occurs when a gas, such as tungsten hexacarbonyl (W(CO)6) is introduced to the vacuum chamber and allowed to chemisorb onto the sample.
Il s'agit d'un dépôt chimique en phase vapeur assisté par FIB qui se produit lorsqu'un gaz comme l'hexacarbonyle de tungstène (W(CO)6), introduit dans la chambre à vide est adsorbé par l'échantillon. |
